Fournissant 0,5 A en boîtier SOT23 à six broches, ce régulateur abaisseur intègre un transistor Mosfet de puissance 45 V doté d’une résistance série de 800 mΩ. Grâce à sa fréquence de fonctionnement ...

Destinés à la conversion d'énergie, ces MosFET au carbure de silicium à grille en tranchée présentent une résistance passante diminuée par rapport aux MOSFET classiques et une fiabilité améliorée tout ...

Mitsubishi Electric Corporation a annoncé avoir développé une nouvelle structure pour un transistor à effet de champ à métal-oxyde-semiconducteur en carbure de silicium (SiC-MOSFET) intégré à une ...

ST, l'un des premiers fabricants de semiconducteurs à commercialiser des MOSFET de puissance en carbure de silicium, atteint une tenue en température de 200 degrés permettant de réaliser des designs ...